著名材料学家、太阳能科技泰斗闻立时逝世

    我国著名科学家、中国工程院院士、中国科学院金属研究所研究员、冶金法太阳能级多晶硅产业技术创新战略联盟专家委员会主任闻立时先生，因病于2010年4月6日晚在深圳医治无效，不幸与世长辞，终年74岁。
    闻立时院士是2010年2月26日在深圳大族激光公司作报告时突发脑梗塞倒下。病后，中国工程院、中国科学院、深圳市政府十分关心，从广州、北京立刻派脑科专家赴深圳会诊。但因脑干出血，经一个多月的努力，终因医治无效而溘然长逝。
　　闻立时院士，1936年3月23日生于湖北省武汉市，中国科学院金属研究所，复合材料专家，专业：表面工程、纳米科技。1952年入南开大学物理系，随后到北京俄文专修学校留苏预备部，1954.年到莫斯科钢铁学院物理化学系学习，1960年毕业于莫斯科钢铁学院，获冶金工程师称号。1960年到中科院金属所工作，从实习研究员到研究员、博士导师。1979-1981年获西德马普金属所奖学金，去马普作博士后访问学者。1996.年还担任美国ANC Ion Coating, Inc.总工程师兼科学顾问。现任中国科学院金属研究所研究员，博士生导师。兼任中国金属学会理事，中国真空学会理事、中国冶金法太阳能级多晶硅联盟专家委员会主任等职。1999年当选为中国工程院院士。
　　闻院士发表论文250余篇，专著7本。获1986年国家科技进步奖特等奖，1991年中国科学院科技进步奖一等奖。闻立时(Lishi Wen; L.S.Wen 1936 - )复合材料专家。1960年毕业于莫斯科钢铁学院，获冶金工程师称号。1979-1981年获西德马普金属所奖学金，去马普作博士后访问学者。现任中国科学院金属研究所研究员，博士生导师。兼任中国金属学会理事，中国真空学会理事等职。1999年当选为中国工程院院士。
　　他长期从事表面工程和纳米技术研究工作。研制成功纳米多层膜和纳米膜/涂料复合层两系列电磁功能材料，并在国防建设中得到应用；六十年代初，建立了电弧等离子喷涂设备，研制成功各种用途的耐高温涂层和复合涂层；研制出90年代国际先进电磁脉冲偏压电弧离子镀膜机。
　　闻立时也是我国多晶硅产业的主要推动者之一。他近年在多晶硅行业却四处奔走，致力于发展中国的多晶硅产业。在2006年中国太阳能“香山科学会议”上，闻立时院士也与其它几位院士共同担任执行主席。他在会议上指出，目前国际上生产多晶硅的主要技术“西门子法”有其不足之处，主要表现在流程核心环节上采用了落后的TCVD，并针对以上情况提出了我国多晶硅发展路线的一些技术新设想，高纯多晶硅生产的关键技术应是国家研发的重点；是比较早就呼吁在化学法以外找出路的院士之一。他认为，我国长期以来对科技自主创新的支持力度不够，科研投入太少，政府往往认为这个产业已经出现了产品，走向了市场，就不需要国家再继续投入科研经费了。其实，由于硅材料严重短缺的制约，缺乏国家的相关政策支持，光伏发电产业并没有真正与市场接轨。因此，国家要加大对光伏发电的科研投入，出台相关的政策来支持其发展。
　　闻院士十分关心我国太阳能行业的产业规划，在他的多份专题报告中，对行业发展提出了许多有益的建议，也对存在的问题表示了忧虑。由于他在太阳能领域的努力和贡献，他被认为是我国太阳能与硅材料专家，而且被业界不少人士尊称为“太阳能泰斗”。他致力于太阳能产业的发展，从上海、湖北、安徽、深圳、四川、福建，几乎全国有多晶硅的地方都留下了他的足迹和报告。
　　闻立时院士也是我国冶金法多晶硅产业技术创新战略联盟的推动者之一，不仅对联盟的成立和职能提出了自己的意见，更亲自担任冶金法多晶硅联盟的专家委员会主任。他不仅对于我国冶金法多晶硅的产学研合作提出了诸多卓有见识的指导意见，也积极参与到许多具体的研究事务中。他提出了化学载能束提纯的基础理论设想，他亲自拨冗审议冶金法多晶硅联盟给科技部的建议书和产业规划，为冶金法多晶硅的产业技术标准提出了高屋建瓴地指导性意见。他认为：“冶金法生产太阳能级多晶硅材料成功最大的意义就在于降低太阳能电池生产成本，可以说是一个重磅炸弹，它的电耗及成本较西门子法有大幅度的下降，这应当成为我们国家走独特发展道路的一个典范。”
　　2009年3月，他到上海普罗考察普罗的冶金法多晶硅生产工艺。考察期间，他对普罗的生产工艺进行了仔细询问，对普罗自身研制的设备和装置进行了详细的勘查，并对普罗的冶金法多晶硅给予了大力的鼓励和支持：“普罗的技术路线认真、严谨，不仅从事工艺研发，也自行研制设备，这是目前所看到的最正规的冶金法生产工艺。”
　　闻立时院士的逝世，是我国材料学界、太阳能光伏学界的一大损失。在此，谨代表上海普罗新能源有限公司、冶金法多晶硅产业技术创新战略联盟向闻立时院士表示沉痛的哀悼，并对闻院士的家人及亲属表示深切的慰问。